Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SISH110DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V PPAK 1212-8SH
Číslo dílu
SISH110DN-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET® Gen II
Stav sekce
Active
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
PowerPAK® 1212-8SH
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® 1212-8SH
Ztráta energie (max.)
1.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
13.5A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
5.3 mOhm @ 21.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
21nC @ 4.5V
VGS (max.)
±20V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 30861 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SISH110DN-T1-GE3
SISH110DN-T1-GE3 Elektronické komponenty
SISH110DN-T1-GE3 Odbyt
SISH110DN-T1-GE3 Dodavatel
SISH110DN-T1-GE3 Distributor
SISH110DN-T1-GE3 Datová tabulka
SISH110DN-T1-GE3 Fotky
SISH110DN-T1-GE3 Cena
SISH110DN-T1-GE3 Nabídka
SISH110DN-T1-GE3 Nejnižší cena
SISH110DN-T1-GE3 Vyhledávání
SISH110DN-T1-GE3 Nákup
SISH110DN-T1-GE3 Chip