SISH410DN-T1-GE3
MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH
Číslo dílu
SISH410DN-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Active
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
PowerPAK® 1212-8SH
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® 1212-8SH
Ztráta energie (max.)
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
22A (Ta), 35A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
41nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1600pF @ 10V
VGS (max.)
±20V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 42969 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SISH410DN-T1-GE3
SISH410DN-T1-GE3 Elektronické komponenty
SISH410DN-T1-GE3 Odbyt
SISH410DN-T1-GE3 Dodavatel
SISH410DN-T1-GE3 Distributor
SISH410DN-T1-GE3 Datová tabulka
SISH410DN-T1-GE3 Fotky
SISH410DN-T1-GE3 Cena
SISH410DN-T1-GE3 Nabídka
SISH410DN-T1-GE3 Nejnižší cena
SISH410DN-T1-GE3 Vyhledávání
SISH410DN-T1-GE3 Nákup
SISH410DN-T1-GE3 Chip