SIUD412ED-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 500MA PWRPAK0806
Číslo dílu
SIUD412ED-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
PowerPAK® 0806
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® 0806
Ztráta energie (max.)
1.25W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
12V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
500mA (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
340 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
0.71nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
21pF @ 6V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.2V, 4.5V
VGS (max.)
±5V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 5992 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SIUD412ED-T1-GE3
SIUD412ED-T1-GE3 Elektronické komponenty
SIUD412ED-T1-GE3 Odbyt
SIUD412ED-T1-GE3 Dodavatel
SIUD412ED-T1-GE3 Distributor
SIUD412ED-T1-GE3 Datová tabulka
SIUD412ED-T1-GE3 Fotky
SIUD412ED-T1-GE3 Cena
SIUD412ED-T1-GE3 Nabídka
SIUD412ED-T1-GE3 Nejnižší cena
SIUD412ED-T1-GE3 Vyhledávání
SIUD412ED-T1-GE3 Nákup
SIUD412ED-T1-GE3 Chip