SIZ200DT-T1-GE3
MOSFET N-CH DUAL 30V
Číslo dílu
SIZ200DT-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET® Gen IV
Stav sekce
Active
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerWDFN
Výkon - Max
4.3W (Ta), 33W (Tc)
Dodavatelský balíček zařízení
8-PowerPair® (3.3x3.3)
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Standard
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
5.5 mOhm @ 10A, 10V, 5.8 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
28nC @ 10V, 30nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 28650 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SIZ200DT-T1-GE3
SIZ200DT-T1-GE3 Elektronické komponenty
SIZ200DT-T1-GE3 Odbyt
SIZ200DT-T1-GE3 Dodavatel
SIZ200DT-T1-GE3 Distributor
SIZ200DT-T1-GE3 Datová tabulka
SIZ200DT-T1-GE3 Fotky
SIZ200DT-T1-GE3 Cena
SIZ200DT-T1-GE3 Nabídka
SIZ200DT-T1-GE3 Nejnižší cena
SIZ200DT-T1-GE3 Vyhledávání
SIZ200DT-T1-GE3 Nákup
SIZ200DT-T1-GE3 Chip