SIZ322DT-T1-GE3
MOSFET 2 N-CH 25V 30A 8-POWER33
Číslo dílu
SIZ322DT-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET® Gen IV
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerWDFN
Výkon - Max
16.7W (Tc)
Dodavatelský balíček zařízení
8-Power33 (3x3)
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Standard
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
25V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6.35 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
20.1nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
950pF @ 12.5V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 10959 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SIZ322DT-T1-GE3
SIZ322DT-T1-GE3 Elektronické komponenty
SIZ322DT-T1-GE3 Odbyt
SIZ322DT-T1-GE3 Dodavatel
SIZ322DT-T1-GE3 Distributor
SIZ322DT-T1-GE3 Datová tabulka
SIZ322DT-T1-GE3 Fotky
SIZ322DT-T1-GE3 Cena
SIZ322DT-T1-GE3 Nabídka
SIZ322DT-T1-GE3 Nejnižší cena
SIZ322DT-T1-GE3 Vyhledávání
SIZ322DT-T1-GE3 Nákup
SIZ322DT-T1-GE3 Chip