Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SIZ342DT-T1-GE3
MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR3X3
Číslo dílu
SIZ342DT-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerWDFN
Výkon - Max
3.6W, 4.3W
Dodavatelský balíček zařízení
8-Power33 (3x3)
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
15.7A (Ta), 100A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
11.5 mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
650pF @ 15V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48330 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SIZ342DT-T1-GE3
SIZ342DT-T1-GE3 Elektronické komponenty
SIZ342DT-T1-GE3 Odbyt
SIZ342DT-T1-GE3 Dodavatel
SIZ342DT-T1-GE3 Distributor
SIZ342DT-T1-GE3 Datová tabulka
SIZ342DT-T1-GE3 Fotky
SIZ342DT-T1-GE3 Cena
SIZ342DT-T1-GE3 Nabídka
SIZ342DT-T1-GE3 Nejnižší cena
SIZ342DT-T1-GE3 Vyhledávání
SIZ342DT-T1-GE3 Nákup
SIZ342DT-T1-GE3 Chip