SIZ350DT-T1-GE3
MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR
Číslo dílu
SIZ350DT-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET® Gen IV
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerWDFN
Výkon - Max
3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Dodavatelský balíček zařízení
8-Power33 (3x3)
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Standard
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
18.5A (Ta), 30A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6.75 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
20.3nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
940pF @ 15V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 44279 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SIZ350DT-T1-GE3
SIZ350DT-T1-GE3 Elektronické komponenty
SIZ350DT-T1-GE3 Odbyt
SIZ350DT-T1-GE3 Dodavatel
SIZ350DT-T1-GE3 Distributor
SIZ350DT-T1-GE3 Datová tabulka
SIZ350DT-T1-GE3 Fotky
SIZ350DT-T1-GE3 Cena
SIZ350DT-T1-GE3 Nabídka
SIZ350DT-T1-GE3 Nejnižší cena
SIZ350DT-T1-GE3 Vyhledávání
SIZ350DT-T1-GE3 Nákup
SIZ350DT-T1-GE3 Chip