Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SIZ700DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
Číslo dílu
SIZ700DT-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
6-PowerPair™
Výkon - Max
2.36W, 2.8W
Dodavatelský balíček zařízení
6-PowerPair™
Typ FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Funkce FET
Standard
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
16A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8.6 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 19258 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SIZ700DT-T1-GE3
SIZ700DT-T1-GE3 Elektronické komponenty
SIZ700DT-T1-GE3 Odbyt
SIZ700DT-T1-GE3 Dodavatel
SIZ700DT-T1-GE3 Distributor
SIZ700DT-T1-GE3 Datová tabulka
SIZ700DT-T1-GE3 Fotky
SIZ700DT-T1-GE3 Cena
SIZ700DT-T1-GE3 Nabídka
SIZ700DT-T1-GE3 Nejnižší cena
SIZ700DT-T1-GE3 Vyhledávání
SIZ700DT-T1-GE3 Nákup
SIZ700DT-T1-GE3 Chip