Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SIZ900DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
Číslo dílu
SIZ900DT-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
6-PowerPair™
Výkon - Max
48W, 100W
Dodavatelský balíček zařízení
6-PowerPair™
Typ FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
24A, 28A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
7.2 mOhm @ 19.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1830pF @ 15V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 5563 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SIZ900DT-T1-GE3
SIZ900DT-T1-GE3 Elektronické komponenty
SIZ900DT-T1-GE3 Odbyt
SIZ900DT-T1-GE3 Dodavatel
SIZ900DT-T1-GE3 Distributor
SIZ900DT-T1-GE3 Datová tabulka
SIZ900DT-T1-GE3 Fotky
SIZ900DT-T1-GE3 Cena
SIZ900DT-T1-GE3 Nabídka
SIZ900DT-T1-GE3 Nejnižší cena
SIZ900DT-T1-GE3 Vyhledávání
SIZ900DT-T1-GE3 Nákup
SIZ900DT-T1-GE3 Chip