Koupit Vishay Siliconix SIZ910DT-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERPAIR

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

Zobrazit více informací DataSheets

SIZ910DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERPAIR

Číslo dílu

SIZ910DT-T1-GE3

Výrobce/značka

Vishay Siliconix

Série

TrenchFET®

Stav sekce

Obsolete

Obal

Tape & Reel (TR)

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček/pouzdro

8-PowerWDFN

Výkon - Max

48W, 100W

Dodavatelský balíček zařízení

8-PowerPair® (6x5)

Typ FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funkce FET

Logic Level Gate

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

30V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

40A

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

5.8 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

1500pF @ 15V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 19623 PCS

Kontaktní informace

Související produkty