SIZF916DT-T1-GE3
MOSFET N-CH DUAL 30V
Číslo dílu
SIZF916DT-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET® Gen IV
Stav sekce
Active
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerWDFN
Výkon - Max
3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)
Dodavatelský balíček zařízení
8-PowerPair® (6x5)
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Standard
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
23A (Ta), 40A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4 mOhm @ 10A, 10V, 1.25 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 10V, 95nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 34590 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SIZF916DT-T1-GE3
SIZF916DT-T1-GE3 Elektronické komponenty
SIZF916DT-T1-GE3 Odbyt
SIZF916DT-T1-GE3 Dodavatel
SIZF916DT-T1-GE3 Distributor
SIZF916DT-T1-GE3 Datová tabulka
SIZF916DT-T1-GE3 Fotky
SIZF916DT-T1-GE3 Cena
SIZF916DT-T1-GE3 Nabídka
SIZF916DT-T1-GE3 Nejnižší cena
SIZF916DT-T1-GE3 Vyhledávání
SIZF916DT-T1-GE3 Nákup
SIZF916DT-T1-GE3 Chip