SQ1912AEEH-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 20V POWERPAK SC70-6
Číslo dílu
SQ1912AEEH-T1_GE3
Výrobce/značka
Série
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Výkon - Max
1.5W
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Standard
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
800mA (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
280 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
1.25nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
27pF @ 10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 21843 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SQ1912AEEH-T1_GE3
SQ1912AEEH-T1_GE3 Elektronické komponenty
SQ1912AEEH-T1_GE3 Odbyt
SQ1912AEEH-T1_GE3 Dodavatel
SQ1912AEEH-T1_GE3 Distributor
SQ1912AEEH-T1_GE3 Datová tabulka
SQ1912AEEH-T1_GE3 Fotky
SQ1912AEEH-T1_GE3 Cena
SQ1912AEEH-T1_GE3 Nabídka
SQ1912AEEH-T1_GE3 Nejnižší cena
SQ1912AEEH-T1_GE3 Vyhledávání
SQ1912AEEH-T1_GE3 Nákup
SQ1912AEEH-T1_GE3 Chip