SQJ200EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
Číslo dílu
SQJ200EP-T1_GE3
Výrobce/značka
Série
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
PowerPAK® SO-8 Dual
Výkon - Max
27W, 48W
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Standard
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
20A, 60A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8.8 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
975pF @ 10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48010 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SQJ200EP-T1_GE3
SQJ200EP-T1_GE3 Elektronické komponenty
SQJ200EP-T1_GE3 Odbyt
SQJ200EP-T1_GE3 Dodavatel
SQJ200EP-T1_GE3 Distributor
SQJ200EP-T1_GE3 Datová tabulka
SQJ200EP-T1_GE3 Fotky
SQJ200EP-T1_GE3 Cena
SQJ200EP-T1_GE3 Nabídka
SQJ200EP-T1_GE3 Nejnižší cena
SQJ200EP-T1_GE3 Vyhledávání
SQJ200EP-T1_GE3 Nákup
SQJ200EP-T1_GE3 Chip