SQJ500AEP-T1_GE3
MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL
Číslo dílu
SQJ500AEP-T1_GE3
Výrobce/značka
Série
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
PowerPAK® SO-8 Dual
Výkon - Max
48W
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® SO-8 Dual
Typ FET
N and P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
27 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
38.1nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1850pF @ 20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 36313 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SQJ500AEP-T1_GE3
SQJ500AEP-T1_GE3 Elektronické komponenty
SQJ500AEP-T1_GE3 Odbyt
SQJ500AEP-T1_GE3 Dodavatel
SQJ500AEP-T1_GE3 Distributor
SQJ500AEP-T1_GE3 Datová tabulka
SQJ500AEP-T1_GE3 Fotky
SQJ500AEP-T1_GE3 Cena
SQJ500AEP-T1_GE3 Nabídka
SQJ500AEP-T1_GE3 Nejnižší cena
SQJ500AEP-T1_GE3 Vyhledávání
SQJ500AEP-T1_GE3 Nákup
SQJ500AEP-T1_GE3 Chip