SQJ560EP-T1_GE3
MOSFET DUAL N P CH 60V PPAK SO-8
Číslo dílu
SQJ560EP-T1_GE3
Výrobce/značka
Série
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Stav sekce
Active
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
PowerPAK® SO-8 Dual
Výkon - Max
34W (Tc)
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® SO-8 Dual
Typ FET
N and P-Channel
Funkce FET
Standard
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
30A (Tc), 18A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
12 mOhm @ 10A, 10V, 52.6 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V, 45nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1650pF @ 25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 35001 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SQJ560EP-T1_GE3
SQJ560EP-T1_GE3 Elektronické komponenty
SQJ560EP-T1_GE3 Odbyt
SQJ560EP-T1_GE3 Dodavatel
SQJ560EP-T1_GE3 Distributor
SQJ560EP-T1_GE3 Datová tabulka
SQJ560EP-T1_GE3 Fotky
SQJ560EP-T1_GE3 Cena
SQJ560EP-T1_GE3 Nabídka
SQJ560EP-T1_GE3 Nejnižší cena
SQJ560EP-T1_GE3 Vyhledávání
SQJ560EP-T1_GE3 Nákup
SQJ560EP-T1_GE3 Chip