Koupit Vishay Siliconix SQJ912BEP-T1_GE3 MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

DataSheets

SQJ912BEP-T1_GE3

MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L

Číslo dílu

SQJ912BEP-T1_GE3

Výrobce/značka

Vishay Siliconix

Série

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Stav sekce

Active

Obal

Tape & Reel (TR)

Provozní teplota

-55°C ~ 175°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček/pouzdro

PowerPAK® SO-8 Dual

Výkon - Max

48W (Tc)

Dodavatelský balíček zařízení

PowerPAK® SO-8 Dual

Typ FET

2 N-Channel (Dual)

Funkce FET

Standard

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

40V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

30A (Tc)

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

11 mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

3000pF @ 25V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 18261 PCS

Kontaktní informace

Související produkty

SQJ910AEP-T1_GE3

MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8

Vishay Siliconix

SQJ910AEP-T1_GE3

MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8

Vishay Siliconix

SQJ912AEP-T1_GE3