Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SQJ980AEP-T1_GE3

SQJ980AEP-T1_GE3

MOSFET 2 N-CH 75V POWERPAK SO8
Číslo dílu
SQJ980AEP-T1_GE3
Výrobce/značka
Série
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TA)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
PowerPAK® SO-8 Dual
Výkon - Max
34W (Tc)
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® SO-8 Dual
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Standard
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
75V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
50 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
21nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
790pF @ 35V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 15442 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova SQJ980AEP-T1_GE3
SQJ980AEP-T1_GE3 Elektronické komponenty
SQJ980AEP-T1_GE3 Odbyt
SQJ980AEP-T1_GE3 Dodavatel
SQJ980AEP-T1_GE3 Distributor
SQJ980AEP-T1_GE3 Datová tabulka
SQJ980AEP-T1_GE3 Fotky
SQJ980AEP-T1_GE3 Cena
SQJ980AEP-T1_GE3 Nabídka
SQJ980AEP-T1_GE3 Nejnižší cena
SQJ980AEP-T1_GE3 Vyhledávání
SQJ980AEP-T1_GE3 Nákup
SQJ980AEP-T1_GE3 Chip