SQJQ100E-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8
Číslo dílu
SQJQ100E-T1_GE3
Výrobce/značka
Série
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® 8 x 8
Ztráta energie (max.)
150W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
200A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
165nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
14780pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 11045 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SQJQ100E-T1_GE3
SQJQ100E-T1_GE3 Elektronické komponenty
SQJQ100E-T1_GE3 Odbyt
SQJQ100E-T1_GE3 Dodavatel
SQJQ100E-T1_GE3 Distributor
SQJQ100E-T1_GE3 Datová tabulka
SQJQ100E-T1_GE3 Fotky
SQJQ100E-T1_GE3 Cena
SQJQ100E-T1_GE3 Nabídka
SQJQ100E-T1_GE3 Nejnižší cena
SQJQ100E-T1_GE3 Vyhledávání
SQJQ100E-T1_GE3 Nákup
SQJQ100E-T1_GE3 Chip