SQM10250E_GE3
MOSFET N-CHAN 250V TO-263
Číslo dílu
SQM10250E_GE3
Výrobce/značka
Série
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Stav sekce
Active
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
TO-263 (D²Pak)
Ztráta energie (max.)
375W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
250V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
30 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
75nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4050pF @ 25V
VGS (max.)
±20V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
7.5V, 10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 37884 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SQM10250E_GE3
SQM10250E_GE3 Elektronické komponenty
SQM10250E_GE3 Odbyt
SQM10250E_GE3 Dodavatel
SQM10250E_GE3 Distributor
SQM10250E_GE3 Datová tabulka
SQM10250E_GE3 Fotky
SQM10250E_GE3 Cena
SQM10250E_GE3 Nabídka
SQM10250E_GE3 Nejnižší cena
SQM10250E_GE3 Vyhledávání
SQM10250E_GE3 Nákup
SQM10250E_GE3 Chip