SQS966ENW-T1_GE3
MOSFET N-CHAN 60V
Číslo dílu
SQS966ENW-T1_GE3
Výrobce/značka
Série
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
PowerPAK® 1212-8W
Výkon - Max
27.8W (Tc)
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® 1212-8W
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Standard
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
36 mOhm @ 1.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
8.8nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
572pF @ 25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 50352 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SQS966ENW-T1_GE3
SQS966ENW-T1_GE3 Elektronické komponenty
SQS966ENW-T1_GE3 Odbyt
SQS966ENW-T1_GE3 Dodavatel
SQS966ENW-T1_GE3 Distributor
SQS966ENW-T1_GE3 Datová tabulka
SQS966ENW-T1_GE3 Fotky
SQS966ENW-T1_GE3 Cena
SQS966ENW-T1_GE3 Nabídka
SQS966ENW-T1_GE3 Nejnižší cena
SQS966ENW-T1_GE3 Vyhledávání
SQS966ENW-T1_GE3 Nákup
SQS966ENW-T1_GE3 Chip