Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SQV120N10-3M8_GE3
MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3
Číslo dílu
SQV120N10-3M8_GE3
Výrobce/značka
Série
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-262-3
Ztráta energie (max.)
250W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
190nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7230pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 9876 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SQV120N10-3M8_GE3
SQV120N10-3M8_GE3 Elektronické komponenty
SQV120N10-3M8_GE3 Odbyt
SQV120N10-3M8_GE3 Dodavatel
SQV120N10-3M8_GE3 Distributor
SQV120N10-3M8_GE3 Datová tabulka
SQV120N10-3M8_GE3 Fotky
SQV120N10-3M8_GE3 Cena
SQV120N10-3M8_GE3 Nabídka
SQV120N10-3M8_GE3 Nejnižší cena
SQV120N10-3M8_GE3 Vyhledávání
SQV120N10-3M8_GE3 Nákup
SQV120N10-3M8_GE3 Chip