SUM60030E-GE3
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Číslo dílu
SUM60030E-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
TO-263 (D2Pak)
Ztráta energie (max.)
375W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
80V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
141nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7910pF @ 40V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
7.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 40041 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SUM60030E-GE3
SUM60030E-GE3 Elektronické komponenty
SUM60030E-GE3 Odbyt
SUM60030E-GE3 Dodavatel
SUM60030E-GE3 Distributor
SUM60030E-GE3 Datová tabulka
SUM60030E-GE3 Fotky
SUM60030E-GE3 Cena
SUM60030E-GE3 Nabídka
SUM60030E-GE3 Nejnižší cena
SUM60030E-GE3 Vyhledávání
SUM60030E-GE3 Nákup
SUM60030E-GE3 Chip