DIODES (US and Taiwan)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
DGD2012S8-13
Half-bridge MOSFET sink current 1.9A source current 2.3A
Číslo dílu
DGD2012S8-13
Kategorie
Power Chip > Gate Driver IC
Výrobce/značka
DIODES (US and Taiwan)
Encapsulation
SO-8
Balení
taping
Počet balíků
2500
Popis
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 96677 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Low side High side IGBT MOSFET sink current 600mA source current 290mA
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 600mA source current 290mA
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 600mA source current 290mA
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 290mA source current 600mA
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 600mA source current 290mA
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 350mA source current 200mA
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 2.3A source current 1.9A
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 1.8A source current 1.4A
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 4.5A source current 4.5A
DIODES (US and Taiwan)
Klíčová slova DGD2012S8-13
DGD2012S8-13 Elektronické komponenty
DGD2012S8-13 Odbyt
DGD2012S8-13 Dodavatel
DGD2012S8-13 Distributor
DGD2012S8-13 Datová tabulka
DGD2012S8-13 Fotky
DGD2012S8-13 Cena
DGD2012S8-13 Nabídka
DGD2012S8-13 Nejnižší cena
DGD2012S8-13 Vyhledávání
DGD2012S8-13 Nákup
DGD2012S8-13 Chip