DIODES (US and Taiwan)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
DGD21814MS14-13
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 2.3A source current 1.9A
Číslo dílu
DGD21814MS14-13
Kategorie
Power Chip > Gate Driver IC
Výrobce/značka
DIODES (US and Taiwan)
Encapsulation
SO-14
Balení
taping
Počet balíků
2500
Popis
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 72931 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Low side High side IGBT MOSFET sink current 600mA source current 290mA
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 600mA source current 290mA
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 600mA source current 290mA
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 290mA source current 600mA
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 600mA source current 290mA
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 350mA source current 200mA
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 2.3A source current 1.9A
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 1.8A source current 1.4A
DIODES (US and Taiwan)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 4.5A source current 4.5A
DIODES (US and Taiwan)
Klíčová slova DGD21814MS14-13
DGD21814MS14-13 Elektronické komponenty
DGD21814MS14-13 Odbyt
DGD21814MS14-13 Dodavatel
DGD21814MS14-13 Distributor
DGD21814MS14-13 Datová tabulka
DGD21814MS14-13 Fotky
DGD21814MS14-13 Cena
DGD21814MS14-13 Nabídka
DGD21814MS14-13 Nejnižší cena
DGD21814MS14-13 Vyhledávání
DGD21814MS14-13 Nákup
DGD21814MS14-13 Chip