VBsemi (Wei Bi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQD12N10-VB
FQD12N10 TO252
Číslo dílu
FQD12N10-VB
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
VBsemi (Wei Bi)
Encapsulation
TO-252
Balení
taping
Počet balíků
2500
Popis
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 96549 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
P-Channel 60V 9.4A Power MOSFET, P-Channel, QFET, -60 V, -9.4 A, 185 mΩ, DPAK
onsemi (Ansemi)
N-Channel 200V 9A Power MOSFET, N-Channel, Logic Level, QFET, 200 V, 9.0 A, 280 mΩ
onsemi (Ansemi)
N-Channel 60V 11A Power MOSFET, N-Channel, Logic Level, QFET, 60 V, 11 A, 115 mΩ, DPAK
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova FQD12N10-VB
FQD12N10-VB Elektronické komponenty
FQD12N10-VB Odbyt
FQD12N10-VB Dodavatel
FQD12N10-VB Distributor
FQD12N10-VB Datová tabulka
FQD12N10-VB Fotky
FQD12N10-VB Cena
FQD12N10-VB Nabídka
FQD12N10-VB Nejnižší cena
FQD12N10-VB Vyhledávání
FQD12N10-VB Nákup
FQD12N10-VB Chip