VBsemi (Wei Bi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQD13N06-VB
FQD13N06 TO252
Číslo dílu
FQD13N06-VB
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
VBsemi (Wei Bi)
Encapsulation
TO-252
Balení
taping
Počet balíků
2500
Popis
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 51199 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
P-Channel 60V 9.4A Power MOSFET, P-Channel, QFET, -60 V, -9.4 A, 185 mΩ, DPAK
onsemi (Ansemi)
N-Channel 200V 9A Power MOSFET, N-Channel, Logic Level, QFET, 200 V, 9.0 A, 280 mΩ
onsemi (Ansemi)
N-Channel 60V 11A Power MOSFET, N-Channel, Logic Level, QFET, 60 V, 11 A, 115 mΩ, DPAK
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova FQD13N06-VB
FQD13N06-VB Elektronické komponenty
FQD13N06-VB Odbyt
FQD13N06-VB Dodavatel
FQD13N06-VB Distributor
FQD13N06-VB Datová tabulka
FQD13N06-VB Fotky
FQD13N06-VB Cena
FQD13N06-VB Nabídka
FQD13N06-VB Nejnižší cena
FQD13N06-VB Vyhledávání
FQD13N06-VB Nákup
FQD13N06-VB Chip