ST (STMicroelectronics)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
L6386ED
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 650mA source current 400mA
Číslo dílu
L6386ED
Kategorie
Power Chip > Gate Driver IC
Výrobce/značka
ST (STMicroelectronics)
Encapsulation
SOIC-14
Balení
Tube
Počet balíků
50
Popis
High and low voltage drive, the maximum voltage is 600V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 53963 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 650mA source current 400mA
ST (STMicroelectronics)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 650mA source current 400mA
ST (STMicroelectronics)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 650mA source current 400mA
ST (STMicroelectronics)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 650mA source current 400mA
ST (STMicroelectronics)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 650mA source current 400mA
ST (STMicroelectronics)
Klíčová slova L6386ED
L6386ED Elektronické komponenty
L6386ED Odbyt
L6386ED Dodavatel
L6386ED Distributor
L6386ED Datová tabulka
L6386ED Fotky
L6386ED Cena
L6386ED Nabídka
L6386ED Nejnižší cena
L6386ED Vyhledávání
L6386ED Nákup
L6386ED Chip