ST (STMicroelectronics)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
L6387ED
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 650mA source current 400mA
Číslo dílu
L6387ED
Kategorie
Power Chip > Gate Driver IC
Výrobce/značka
ST (STMicroelectronics)
Encapsulation
SOIC-8
Balení
Tube
Počet balíků
100
Popis
High and low voltage drive, the maximum voltage is 600V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 74974 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 650mA source current 400mA
ST (STMicroelectronics)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 650mA source current 400mA
ST (STMicroelectronics)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 650mA source current 400mA
ST (STMicroelectronics)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 650mA source current 400mA
ST (STMicroelectronics)
Half-bridge IGBT MOSFET sink current 650mA source current 400mA
ST (STMicroelectronics)
Klíčová slova L6387ED
L6387ED Elektronické komponenty
L6387ED Odbyt
L6387ED Dodavatel
L6387ED Distributor
L6387ED Datová tabulka
L6387ED Fotky
L6387ED Cena
L6387ED Nabídka
L6387ED Nejnižší cena
L6387ED Vyhledávání
L6387ED Nákup
L6387ED Chip