onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
MBRM110ET3G 10V 1A 595mV@2A Schottky diodePower rectifier, 1.0 A, 10 V

MBRM110ET3G

10V 1A 595mV@2A Schottky diodePower rectifier, 1.0 A, 10 V
Číslo dílu
MBRM110ET3G
Kategorie
diode > Schottky diode
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
POWERMITE
Balení
taping
Počet balíků
12000
Popis
POWERMITEPower encapsulation The Schottky diode uses the Schottky diode barrier principle, using barrier metal and epitaxial structure, which can produce an optimized forward voltage drop-reverse current trade-off. This advanced encapsulation technology can be used to achieve energy-efficient miniature, space-saving devices. Due to its unique thermal design, Powermite has the same thermal performance as SMA, but with a 50% smaller footprint and a height profile of < 1.1 mm, one of the smallest in the industry. Due to its small size, it is suitable for portable and battery-operated products such as cellular and cordless phones, chargers, notebook computers, printers, PDAs and PCMCIA cards. Typical applications are AC-DC and DC-DC converters, reverse battery protection and "OR" operation of multiple supply voltages, and other applications where performance and size performance are critical.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 89343 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova MBRM110ET3G
MBRM110ET3G Elektronické komponenty
MBRM110ET3G Odbyt
MBRM110ET3G Dodavatel
MBRM110ET3G Distributor
MBRM110ET3G Datová tabulka
MBRM110ET3G Fotky
MBRM110ET3G Cena
MBRM110ET3G Nabídka
MBRM110ET3G Nejnižší cena
MBRM110ET3G Vyhledávání
MBRM110ET3G Nákup
MBRM110ET3G Chip