TECH PUBLIC (Taizhou)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NTJD4105CT1G
NTJD4105CT1G
Číslo dílu
NTJD4105CT1G
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
TECH PUBLIC (Taizhou)
Encapsulation
SOT-363-6
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 90459 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Dual P-Channel, High Side Load Switch with Level Shift, Power MOSFET, -8V, ±1.3A, 175mΩ
onsemi (Ansemi)
8V Dual P-Channel, High Side Load Switch with Level Shift, Power MOSFET, -8V, ±1.3A, 175mΩ
onsemi (Ansemi)
2 N-Channel 30V 250mA Dual N-Channel Small Signal MOSFET 30V 250mA 1.5Ω
onsemi (Ansemi)
2 N-channel 60V 295mA Dual N?Channel Power MOSFET with ESD Protection 60V, 295mA, 1.6Ω
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova NTJD4105CT1G
NTJD4105CT1G Elektronické komponenty
NTJD4105CT1G Odbyt
NTJD4105CT1G Dodavatel
NTJD4105CT1G Distributor
NTJD4105CT1G Datová tabulka
NTJD4105CT1G Fotky
NTJD4105CT1G Cena
NTJD4105CT1G Nabídka
NTJD4105CT1G Nejnižší cena
NTJD4105CT1G Vyhledávání
NTJD4105CT1G Nákup
NTJD4105CT1G Chip