onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NTJD5121NT1G
2 N-channel 60V 295mA Dual N?Channel Power MOSFET with ESD Protection 60V, 295mA, 1.6Ω
Číslo dílu
NTJD5121NT1G
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SOT-363-6
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 87821 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Dual P-Channel, High Side Load Switch with Level Shift, Power MOSFET, -8V, ±1.3A, 175mΩ
onsemi (Ansemi)
8V Dual P-Channel, High Side Load Switch with Level Shift, Power MOSFET, -8V, ±1.3A, 175mΩ
onsemi (Ansemi)
2 N-Channel 30V 250mA Dual N-Channel Small Signal MOSFET 30V 250mA 1.5Ω
onsemi (Ansemi)
2 N-channel 60V 295mA Dual N?Channel Power MOSFET with ESD Protection 60V, 295mA, 1.6Ω
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova NTJD5121NT1G
NTJD5121NT1G Elektronické komponenty
NTJD5121NT1G Odbyt
NTJD5121NT1G Dodavatel
NTJD5121NT1G Distributor
NTJD5121NT1G Datová tabulka
NTJD5121NT1G Fotky
NTJD5121NT1G Cena
NTJD5121NT1G Nabídka
NTJD5121NT1G Nejnižší cena
NTJD5121NT1G Vyhledávání
NTJD5121NT1G Nákup
NTJD5121NT1G Chip