onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NXH100B120H3Q0PTG
Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode.
Číslo dílu
NXH100B120H3Q0PTG
Kategorie
Power IC > Power Module
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
-
Balení
tray
Počet balíků
24
Popis
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 66448 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode.
onsemi (Ansemi)
Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode.
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova NXH100B120H3Q0PTG
NXH100B120H3Q0PTG Elektronické komponenty
NXH100B120H3Q0PTG Odbyt
NXH100B120H3Q0PTG Dodavatel
NXH100B120H3Q0PTG Distributor
NXH100B120H3Q0PTG Datová tabulka
NXH100B120H3Q0PTG Fotky
NXH100B120H3Q0PTG Cena
NXH100B120H3Q0PTG Nabídka
NXH100B120H3Q0PTG Nejnižší cena
NXH100B120H3Q0PTG Vyhledávání
NXH100B120H3Q0PTG Nákup
NXH100B120H3Q0PTG Chip