onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NXH100B120H3Q0STG
Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode.
Číslo dílu
NXH100B120H3Q0STG
Kategorie
Power IC > Power Module
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
-
Balení
tray
Počet balíků
24
Popis
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 80099 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode.
onsemi (Ansemi)
Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode.
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova NXH100B120H3Q0STG
NXH100B120H3Q0STG Elektronické komponenty
NXH100B120H3Q0STG Odbyt
NXH100B120H3Q0STG Dodavatel
NXH100B120H3Q0STG Distributor
NXH100B120H3Q0STG Datová tabulka
NXH100B120H3Q0STG Fotky
NXH100B120H3Q0STG Cena
NXH100B120H3Q0STG Nabídka
NXH100B120H3Q0STG Nejnižší cena
NXH100B120H3Q0STG Vyhledávání
NXH100B120H3Q0STG Nákup
NXH100B120H3Q0STG Chip