Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
AOU3N50
MOSFET N-CH 500V 2.8A IPAK
Číslo dílu
AOU3N50
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-50°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-251-3
Ztráta energie (max.)
57W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.8A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
8nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
331pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 8331 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova AOU3N50
AOU3N50 Elektronické komponenty
AOU3N50 Odbyt
AOU3N50 Dodavatel
AOU3N50 Distributor
AOU3N50 Datová tabulka
AOU3N50 Fotky
AOU3N50 Cena
AOU3N50 Nabídka
AOU3N50 Nejnižší cena
AOU3N50 Vyhledávání
AOU3N50 Nákup
AOU3N50 Chip