Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
AOU3N60
MOSFET N-CH 600V 2.5A IPAK
Číslo dílu
AOU3N60
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-50°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-251-3
Ztráta energie (max.)
56.8W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.5 Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
370pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48976 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova AOU3N60
AOU3N60 Elektronické komponenty
AOU3N60 Odbyt
AOU3N60 Dodavatel
AOU3N60 Distributor
AOU3N60 Datová tabulka
AOU3N60 Fotky
AOU3N60 Cena
AOU3N60 Nabídka
AOU3N60 Nejnižší cena
AOU3N60 Vyhledávání
AOU3N60 Nákup
AOU3N60 Chip