Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
CGHV1F025S
RF MOSFET HEMT 40V 12DFN
Číslo dílu
CGHV1F025S
Výrobce/značka
Série
GaN
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Napětí - Jmenovité
100V
Frekvence
6GHz
Balíček/pouzdro
12-VFDFN Exposed Pad
Aktuální hodnocení
2A
Dodavatelský balíček zařízení
12-DFN (4x3)
Výkon – výstup
29W
Typy tranzistorů
HEMT
Získat
16dB
Napětí - Test
40V
Obraz šumu
-
Proud - Test
150mA
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 11289 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova CGHV1F025S
CGHV1F025S Elektronické komponenty
CGHV1F025S Odbyt
CGHV1F025S Dodavatel
CGHV1F025S Distributor
CGHV1F025S Datová tabulka
CGHV1F025S Fotky
CGHV1F025S Cena
CGHV1F025S Nabídka
CGHV1F025S Nejnižší cena
CGHV1F025S Vyhledávání
CGHV1F025S Nákup
CGHV1F025S Chip