Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
DMNH10H028SCT
MOSFET BVDSS: 61V 100V,TO220-3,T
Číslo dílu
DMNH10H028SCT
Výrobce/značka
Série
Automotive, AEC-Q101
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
2.8W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
28 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
31.9nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1942pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 41211 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova DMNH10H028SCT
DMNH10H028SCT Elektronické komponenty
DMNH10H028SCT Odbyt
DMNH10H028SCT Dodavatel
DMNH10H028SCT Distributor
DMNH10H028SCT Datová tabulka
DMNH10H028SCT Fotky
DMNH10H028SCT Cena
DMNH10H028SCT Nabídka
DMNH10H028SCT Nejnižší cena
DMNH10H028SCT Vyhledávání
DMNH10H028SCT Nákup
DMNH10H028SCT Chip