DMNH10H028SK3-13
MOSFET N-CH 100V 55A TO252
Číslo dílu
DMNH10H028SK3-13
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
TO-252, (D-Pak)
Ztráta energie (max.)
2W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
55A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
28 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2245pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 27852 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova DMNH10H028SK3-13
DMNH10H028SK3-13 Elektronické komponenty
DMNH10H028SK3-13 Odbyt
DMNH10H028SK3-13 Dodavatel
DMNH10H028SK3-13 Distributor
DMNH10H028SK3-13 Datová tabulka
DMNH10H028SK3-13 Fotky
DMNH10H028SK3-13 Cena
DMNH10H028SK3-13 Nabídka
DMNH10H028SK3-13 Nejnižší cena
DMNH10H028SK3-13 Vyhledávání
DMNH10H028SK3-13 Nákup
DMNH10H028SK3-13 Chip