DMT10H010LK3-13
MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252
Číslo dílu
DMT10H010LK3-13
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
TO-252, (D-Pak)
Ztráta energie (max.)
3W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
68.8A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8.8 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
53.7nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2592pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 18807 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova DMT10H010LK3-13
DMT10H010LK3-13 Elektronické komponenty
DMT10H010LK3-13 Odbyt
DMT10H010LK3-13 Dodavatel
DMT10H010LK3-13 Distributor
DMT10H010LK3-13 Datová tabulka
DMT10H010LK3-13 Fotky
DMT10H010LK3-13 Cena
DMT10H010LK3-13 Nabídka
DMT10H010LK3-13 Nejnižší cena
DMT10H010LK3-13 Vyhledávání
DMT10H010LK3-13 Nákup
DMT10H010LK3-13 Chip