DMT10H010LPS-13
MOSFET N-CH 100V 9.4A
Číslo dílu
DMT10H010LPS-13
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
PowerDI5060-8
Ztráta energie (max.)
1.2W (Ta), 139W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9.4A (Ta), 98A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9.5 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
71nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3000pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 27970 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova DMT10H010LPS-13
DMT10H010LPS-13 Elektronické komponenty
DMT10H010LPS-13 Odbyt
DMT10H010LPS-13 Dodavatel
DMT10H010LPS-13 Distributor
DMT10H010LPS-13 Datová tabulka
DMT10H010LPS-13 Fotky
DMT10H010LPS-13 Cena
DMT10H010LPS-13 Nabídka
DMT10H010LPS-13 Nejnižší cena
DMT10H010LPS-13 Vyhledávání
DMT10H010LPS-13 Nákup
DMT10H010LPS-13 Chip