Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
EPC2001

EPC2001

TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
Číslo dílu
EPC2001
Výrobce/značka
Série
eGaN®
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
GaNFET (Gallium Nitride)
Provozní teplota
-40°C ~ 125°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
Die
Dodavatelský balíček zařízení
Die Outline (11-Solder Bar)
Ztráta energie (max.)
-
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
25A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
7 mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 5mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
950pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
VGS (max.)
+6V, -5V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 46897 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova EPC2001
EPC2001 Elektronické komponenty
EPC2001 Odbyt
EPC2001 Dodavatel
EPC2001 Distributor
EPC2001 Datová tabulka
EPC2001 Fotky
EPC2001 Cena
EPC2001 Nabídka
EPC2001 Nejnižší cena
EPC2001 Vyhledávání
EPC2001 Nákup
EPC2001 Chip