Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
EPC2001C

EPC2001C

TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE
Číslo dílu
EPC2001C
Výrobce/značka
Série
eGaN®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
GaNFET (Gallium Nitride)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
Die
Dodavatelský balíček zařízení
Die Outline (11-Solder Bar)
Ztráta energie (max.)
-
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
36A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
7 mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 5mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
9nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
900pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
VGS (max.)
+6V, -4V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 49253 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova EPC2001C
EPC2001C Elektronické komponenty
EPC2001C Odbyt
EPC2001C Dodavatel
EPC2001C Distributor
EPC2001C Datová tabulka
EPC2001C Fotky
EPC2001C Cena
EPC2001C Nabídka
EPC2001C Nejnižší cena
EPC2001C Vyhledávání
EPC2001C Nákup
EPC2001C Chip