Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
EPC2007C

EPC2007C

TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE
Číslo dílu
EPC2007C
Výrobce/značka
Série
eGaN®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
GaNFET (Gallium Nitride)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
Die
Dodavatelský balíček zařízení
Die Outline (5-Solder Bar)
Ztráta energie (max.)
-
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
30 mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1.2mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
2.2nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
220pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
VGS (max.)
+6V, -4V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 52881 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova EPC2007C
EPC2007C Elektronické komponenty
EPC2007C Odbyt
EPC2007C Dodavatel
EPC2007C Distributor
EPC2007C Datová tabulka
EPC2007C Fotky
EPC2007C Cena
EPC2007C Nabídka
EPC2007C Nejnižší cena
EPC2007C Vyhledávání
EPC2007C Nákup
EPC2007C Chip