Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
EPC2010

EPC2010

TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
Číslo dílu
EPC2010
Výrobce/značka
Série
eGaN®
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Digi-Reel®
Technika
GaNFET (Gallium Nitride)
Provozní teplota
-40°C ~ 125°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
Die
Dodavatelský balíček zařízení
Die
Ztráta energie (max.)
-
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
25 mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 3mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
7.5nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
540pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
VGS (max.)
+6V, -4V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 43732 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova EPC2010
EPC2010 Elektronické komponenty
EPC2010 Odbyt
EPC2010 Dodavatel
EPC2010 Distributor
EPC2010 Datová tabulka
EPC2010 Fotky
EPC2010 Cena
EPC2010 Nabídka
EPC2010 Nejnižší cena
EPC2010 Vyhledávání
EPC2010 Nákup
EPC2010 Chip