Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
EPC2010C

EPC2010C

TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
Číslo dílu
EPC2010C
Výrobce/značka
Série
eGaN®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
GaNFET (Gallium Nitride)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
Die
Dodavatelský balíček zařízení
Die Outline (7-Solder Bar)
Ztráta energie (max.)
-
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
22A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
25 mOhm @ 12A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 3mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
5.3nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
540pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
VGS (max.)
+6V, -4V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 39523 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova EPC2010C
EPC2010C Elektronické komponenty
EPC2010C Odbyt
EPC2010C Dodavatel
EPC2010C Distributor
EPC2010C Datová tabulka
EPC2010C Fotky
EPC2010C Cena
EPC2010C Nabídka
EPC2010C Nejnižší cena
EPC2010C Vyhledávání
EPC2010C Nákup
EPC2010C Chip