Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
EPC2012

EPC2012

TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
Číslo dílu
EPC2012
Výrobce/značka
Série
eGaN®
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
GaNFET (Gallium Nitride)
Provozní teplota
-40°C ~ 125°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
Die
Dodavatelský balíček zařízení
Die
Ztráta energie (max.)
-
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
100 mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
1.8nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
145pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
VGS (max.)
+6V, -5V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 16635 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova EPC2012
EPC2012 Elektronické komponenty
EPC2012 Odbyt
EPC2012 Dodavatel
EPC2012 Distributor
EPC2012 Datová tabulka
EPC2012 Fotky
EPC2012 Cena
EPC2012 Nabídka
EPC2012 Nejnižší cena
EPC2012 Vyhledávání
EPC2012 Nákup
EPC2012 Chip