Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
EPC2015

EPC2015

TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
Číslo dílu
EPC2015
Výrobce/značka
Série
eGaN®
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Digi-Reel®
Technika
GaNFET (Gallium Nitride)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
Die
Dodavatelský balíček zařízení
Die Outline (11-Solder Bar)
Ztráta energie (max.)
-
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
33A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4 mOhm @ 33A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 9mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
11.6nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1200pF @ 20V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
VGS (max.)
+6V, -5V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 33560 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova EPC2015
EPC2015 Elektronické komponenty
EPC2015 Odbyt
EPC2015 Dodavatel
EPC2015 Distributor
EPC2015 Datová tabulka
EPC2015 Fotky
EPC2015 Cena
EPC2015 Nabídka
EPC2015 Nejnižší cena
EPC2015 Vyhledávání
EPC2015 Nákup
EPC2015 Chip