Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
EPC2016

EPC2016

TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE
Číslo dílu
EPC2016
Výrobce/značka
Série
eGaN®
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
GaNFET (Gallium Nitride)
Provozní teplota
-40°C ~ 125°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
Die
Dodavatelský balíček zařízení
Die
Ztráta energie (max.)
-
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
11A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
16 mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 3mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
5.2nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
520pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
VGS (max.)
+6V, -5V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 6732 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova EPC2016
EPC2016 Elektronické komponenty
EPC2016 Odbyt
EPC2016 Dodavatel
EPC2016 Distributor
EPC2016 Datová tabulka
EPC2016 Fotky
EPC2016 Cena
EPC2016 Nabídka
EPC2016 Nejnižší cena
EPC2016 Vyhledávání
EPC2016 Nákup
EPC2016 Chip