Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
EPC2016C

EPC2016C

TRANS GAN 100V 18A BUMPED DIE
Číslo dílu
EPC2016C
Výrobce/značka
Série
eGaN®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
GaNFET (Gallium Nitride)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
Die
Dodavatelský balíček zařízení
Die
Ztráta energie (max.)
-
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
18A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
16 mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 3mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
4.5nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
420pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
VGS (max.)
+6V, -4V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 42318 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova EPC2016C
EPC2016C Elektronické komponenty
EPC2016C Odbyt
EPC2016C Dodavatel
EPC2016C Distributor
EPC2016C Datová tabulka
EPC2016C Fotky
EPC2016C Cena
EPC2016C Nabídka
EPC2016C Nejnižší cena
EPC2016C Vyhledávání
EPC2016C Nákup
EPC2016C Chip