Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
EPC2018

EPC2018

TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
Číslo dílu
EPC2018
Výrobce/značka
Série
eGaN®
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
GaNFET (Gallium Nitride)
Provozní teplota
-40°C ~ 125°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
Die
Dodavatelský balíček zařízení
Die
Ztráta energie (max.)
-
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
150V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
25 mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 3mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
7.5nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
540pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
VGS (max.)
+6V, -5V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 35056 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova EPC2018
EPC2018 Elektronické komponenty
EPC2018 Odbyt
EPC2018 Dodavatel
EPC2018 Distributor
EPC2018 Datová tabulka
EPC2018 Fotky
EPC2018 Cena
EPC2018 Nabídka
EPC2018 Nejnižší cena
EPC2018 Vyhledávání
EPC2018 Nákup
EPC2018 Chip